导读:本文包含了钛酸锶铅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:溶胶,凝胶,性能,薄膜,结构,可调,场强。
钛酸锶铅论文文献综述
李延青,吴曼,杨静[1]（2019）在《锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）》一文中研究指出通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
王德彬[2]（2019）在《钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究》一文中研究指出陶瓷储能介质材料以较高的放电功率密度和较好的工作稳定性等优点非常适合作为脉冲功率设备的储能器件。(Sr,Pb,Bi)TiO_3(SPBT)介质陶瓷具有较高的放电功率密度、高放电效率、较高的介电常数以及低介电损耗。本文在SPBT介质陶瓷的研究基础上,通过改变改性剂,制备了不同晶界结构的SPBT基介质陶瓷,绕着晶界结构这个核心问题,对材料的介电性能展开了系统性的研究。改性剂对SPBT基介质陶瓷晶界结构的影响。通过低温烧结与Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)改性制备了SPBT相与Pb_3Bi_4Ti_6O_(21)(PBT)相共存的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-xBi_4Ti_3O_(12)((1-x)SPBT-xBIT)复相陶瓷,PBT相比SPBT具有完全不同的结构性质,它的出现降低了材料的晶界密度,增加了材料中的铁电宏畴密度。通过高温烧结与Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)改性制备了单相的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-x Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3((1-x)SPBT-xBNT)介质陶瓷,BNT的掺入改变了晶粒的元素成分,增强了晶界的绝缘性。同时由于元素成分的变化,晶界结构随之改变,微畴消失,导致了电畴结构的变化。晶界结构对材料耐压场强的影响。降低材料晶粒尺寸有利于提高其晶界密度,但研究发现这也会导致明显的界面极化效应,使材料的耐压场强降低。通过BIT掺入可降低晶界密度及空间电荷浓度,可有效降低界面极化效应的影响。研究发现BNT掺入使SPBT晶界的绝缘性增强,可有效提高材料的耐压场强。但BNT掺入会导致铅铋化合物的析出,对材料的介电性能造成了不利影响。晶界结构对材料介电温度特性的影响。BIT与BNT都具有较高的居里温度,研究发现BIT或BNT掺杂可使材料的居里峰移动、展宽,达到降低-电容温度变化率的效果。通过对比高低温烧结的SPBT陶瓷可发现,降低材料的晶粒尺寸可有效增加晶界间的内应力,降低材料的电容-温度变化率。晶界结构对材料储能特性的影响。BIT掺入导致了(1-x)SPBT-xBIT陶瓷中宏畴的密度增加,材料的铁电性增强。在(1-x)SPBT-xBNT陶瓷中,BNT掺入改变了材料的晶界结构,微畴消失,材料的宏畴密度增加,材料的反铁电性增强。由于铁电宏畴密度增加,畴壁重新取向将消耗更多的能量,导致材料的介质损耗增大,放电效率降低。同时,BNT掺入还可有效增加材料的储能密度。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01）
胡涛[3]（2016）在《溶胶凝胶法制备镁掺杂钛酸锶铅和银掺杂锆钛酸铅薄膜及其介电性能研究》一文中研究指出钙钛矿相铁电薄膜具有优异的铁电、介电、介电可调和光学等性能,在随机存储器、介电元器件、可调器件和光学元器件中具有广泛的应用市场和前景。本文以典型的A位和B位掺杂PbTiO_3 (PT)的(Pb,Sr)TiO_3 (PST)和Pb(Zr,Ti)O_3 (PZT)薄膜为研究对象,通过分析掺杂、取向和形成渗流型结构等手段对薄膜形成和性能的影响,探索薄膜性能改善的机理。具体研究内容及主要结论如下：1)通过溶胶凝胶法制备Mg掺杂的Pb_(0.35)Sr_(0.65)TiO_3薄膜,将Mg离子引入PST薄膜中进行B位掺杂取代Ti形成Mg"π缺陷,通过使得Ti4+变价为Ti3+形成Ti'Ti缺陷,有效地降低了薄膜内氧空位的含量,同时,薄膜体系中的Ti'Ti缺陷还可以与氧空位形成Ti'Ti～V(?)缺陷偶极子对,对氧空位的自由迁移形成有效的束缚,大大降低了氧空位的迁移能力,从而降低了薄膜的介电损耗。当Mg掺杂含量为6mo1%时,PST薄膜的介电损耗与纯PST薄膜相比降低了30%。2)利用溶胶凝胶法制备Ag掺杂的PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜,通过引入过量的银离子,其中一部分掺杂进入PZT晶格从而降低由于铅挥发形成的缺陷,提高了薄膜的结晶性能。利用银铅二元共晶体系的特性,控制另一部分银离子与铅离子在热处理前期形成了Ag-Pb合金亚稳过渡相，并在随后的热处理过程逐渐分解形成了纳米银颗粒,解决了PZT薄膜结晶能力弱而难以在其中形成纳米银的问题,并形成了掺杂Ag/PZT薄膜的渗流结构体系,薄膜的介电常数有了显着的提高,渗流型Ag/PZT薄膜的介电常数比纯PZT的介电常数高出230%。同时,薄膜中纳米银增强了薄膜内部电场,降低了薄膜高介电可调性和铁电性所需的调制电压。在获得相同性能的情况下,渗流型Ag/PZT薄膜的的介电可调调制电压和矫顽场比纯PZT薄膜的分别低45%和29%。3)在取向PT的基板上制备取向PZT的过程中,在体系中引入银离子,由于在取向PT上诱导取向PZT形成时,PZT的结晶能低,能迅速结晶形成致密的基体,对Ag的扩散形成强的阻碍作用,降低了Ag的扩散速率,从而在取向PZT中形成了纳米银颗粒,在取向PZT中实现了渗流效应,大大提高了薄膜的介电可调性能和降低了调制电压,与随机取向的纯PZT相比,取向PZT复合纳米银薄膜的介电可调性高出100%,调制电压低60%。4)利用纳米银的等离子共振吸收峰的峰位与其粒径有关,设计在薄膜中形成一定粒径分布的纳米银,从而提高了薄膜光的吸收宽度。通过控制溶胶形成以及热处理,在薄膜中形成了平均尺寸为30nnm的六方银和平均尺寸为5nnm的立方银,产生了相互不重迭的吸收峰,将光的吸收宽度提高了35%。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-10-25）
刘流[4]（2014）在《钛酸锶铅铁电薄膜的制备及其介电性能研究》一文中研究指出近年来，钙钛矿结构的铁电薄膜由于具有介电非线性和低介电损耗等特性而得到广泛研究。其中，(BaxSr1-x)TiO3(BST)和(PbxSr1-x)TiO3(PST)在可调器件的应用方面被认为是最有前途的电介质材料。然而，由于BST薄膜存在相对较高的热处理温度和介电损耗大等问题，与之相比，PST薄膜则表现出较小的晶粒尺寸效应、较低的晶化温度、较高的相对介电常数和较低的介电损耗等优点，这使得后者能更好的与微电子工艺相兼容，从而推动现代器件的小型化和集成化发展。本文分别选取Pb0.9Sr0.1TiO3和Pb0.4Sr0.6TiO3两种不同Pb/Sr比例的PST作为研究对象，利用溶胶凝胶薄膜制备方法，采用元素掺杂和引入缓冲层这两种最常用且最有效的改性方法，探讨它们对PST薄膜微观结构和介电性能的不同影响。具体工作和得到的结果如下：1.利用溶胶凝胶法成功制备出了La掺杂的Pb0.82La0.08Sr0.1Ti0.98O3(PLST)铁电薄膜，使薄膜分别在550°C、600°C和650°C温度下退火，通过比较退火温度对PLST薄膜微观结构和介电性能的影响发现，PLST薄膜在600°C温度下退火时介电性能最好，在频率为1kHz处，它的介电常数为873，介电损耗为0.084，在电场为400kV/cm大小时调谐率达到了44%。在引入LaNiO3缓冲层，薄膜的结晶更好，晶粒更小，而且介电常数在同样的频率下从873增大到了1140，损耗从0.084减小到了0.079，当施加偏压为20V时，有LNO缓冲层的PLST薄膜的调谐率和优值分别达到68%和14.2，而无缓冲层的PLST薄膜的调谐率和优值则为60%和8.7。2.利用溶胶凝胶法成功制备出了Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜，引入叁种不同的缓冲层薄膜(La0.5Sr0.5CoO3、LaNiO3和TiO2)，叁种薄膜的厚度都为100nm，研究结果表明，缓冲层LNO和TiO2能促进PST薄膜沿(110)方向择优生长，而无缓冲层和缓冲层为LSCO的PST薄膜则为随机取向，无缓冲层、缓冲层为LSCO、LNO和TiO2的PST薄膜的调谐率依次为51.5%、44.6%、54.5%和11.5%，而优值依次为9.9、11.2、20.4和5.5。另外，在此基础上，我们还研究了不同厚度的TiO2作为缓冲层对PST薄膜的微观结构和介电性能的影响，其中TiO2厚度为50nm、100nm和200nm。结果表明，随着缓冲层TiO2厚度的增加，PST薄膜(110)衍射峰逐渐增强，介电常数、调谐率和优值都逐渐减小，但是介电损耗则先减小后增大，在缓冲层厚度为100nm时达到最小，只有0.02，因此这对于减小PST薄膜损耗方面的工作有一定的指导意义。(本文来源于《湘潭大学》期刊2014-05-10）
吕海燕[5]（2012）在《钛酸锶铅陶瓷粉体水热合成法的研究》一文中研究指出铁电材料的研究已经持续大约一个世纪，研究的内容包括应变、极化和温度的耦合。随着现在电子信息技术等一些重要领域的发展，对这种材料又提出了一些新的要求，比如对各种环境的适应性，使其又成为一些领域的研究热点。钛酸锶铅陶瓷是一种新型的铁电陶瓷材料，它综和了钛酸锶（ST）和钛酸铅的优越性能,具有独特的电阻—温度特性，即同时具有正的温度系数（PTC）-负的温度系数（NTC）特性，因此具有其它材料不具备的复合热敏功能，经常作为热敏陶瓷使用，适合电子技术微型化和集成化的方向发展。目前，钛酸锶铅电子陶瓷粉体的制备方法主要有固相法、液相法中的共沉淀法、溶胶凝胶法、超声波化学法等。固相法固态粉料混合烧结，成分混合不均匀，污染严重，烧结温度高；共沉淀法难以准确配制溶液，操作条件繁琐；溶胶凝胶法处理时间长，产品易开裂等；超声波化学法大规模的工业应用很少且不合适的超声频率和温度会导致颗粒的团聚。而液相法中的水热法，容易操作，最主要的是在473K左右温度下，通过水热反应就可以直接得到成品钛酸锶铅粉体，国外已有钛酸锶铅的水热制备方法，而国内鲜有研究。为了避免铅在高温下的挥发影响其性能结构，又为了制造工艺的简单以及得到粒径小和不同晶型的粉体。根据水热法可以减少铅的挥发，同时操作简单、制备条件易改变等特点，所以确定采用水热法制备钛酸锶铅粉体。本论文的主要内容有：1)绪论主要介绍了钛酸锶铅粉体的制备方法，并比较了各种方法的优缺点。2)钛酸锶铅粉体的制备和表征采用水热法合成了钛酸锶铅粉体，并分别对铅锶比、反应时间、反应浓度、反应温度条件对产品的影响进行了讨论。实验结果表明粉体中锶的含量影响了晶体的结构。随着锶含量的增多，钛酸锶铅发生了晶型的转变，由四方相转变为立方相，并且锶取代了铅的位置。为今后制备所需的晶型奠定了基础。在同等反应条件下，随着反应时间的增长、反应浓度的减小、反应温度的升高，晶体颗粒的粒径增大。用XRD、SEM手段对钛酸锶铅粉体进行了表征。根据表征结果对制备条件进行了分析，总结出了钛酸锶铅粉体的水热合成条件，可以制备不同粒径和晶型的钛酸锶铅粉体。3)钛酸锶铅水热合成的机理钛酸锶铅首先是前驱物在水热条件下溶解，然后正、负离子互相反应，生成难溶产物。(本文来源于《河北科技大学》期刊2012-12-26）
杨英,孙小华,李修能,侯爽[6]（2012）在《镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究》一文中研究指出采用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出未掺杂和掺杂Mg的(Ba0.5Sr0.5)0.85Pb0.15-TiO3薄膜.采用XRD、SEM和Agilent 4294A精密阻抗分析仪研究了Mg掺杂量对薄膜的结晶性,表面形貌和介电性能的影响.结果表明:随着Mg掺杂量的增加,PBST薄膜的介电常数减小,介电损耗降低,介电调谐量先减少后增加.当Mg掺杂量为0.8mol%时,PBST薄膜具有最大的优值因子.(本文来源于《叁峡大学学报(自然科学版)》期刊2012年06期）
蒋艳平[7]（2012）在《低维钛酸锶铅铁电材料的制备及电学与光学性能研究》一文中研究指出铁电材料以其优异的介电、铁电、压电、热释电性能和光学性能等得到广泛的关注和研究。随着现代器件越来越微型化和密集化,对铁电材料的制备与性能要求越来越高。为了达到实用化的要求,低制备条件和高性能获得一直是大家梦寐以求的目标。因此,丰富和发展铁电材料的低维结构的相关制备方法并探索和研究其性能,对于低维铁电材料的基础研究和开拓应用有着重要意义。本文在系统总结和全面分析铁电材料研究现状的基础上,由于(Pb,Sr)TiO3具有一系列的优点,故本论文选取(Pb,Sr)TiO3为研究对象,对(Pb,Sr)TiO3陶瓷、薄膜和纳米结构进行了制备,并对它们的电学性能、光学性能等进行了一些有益的探索。论文主要研究内容如下：1、用固相反应法制备了PST不同Pb/Sr比的陶瓷系列,得到以下成果：(1)制备的PST铁电陶瓷具有典型的钙钛矿结构,随着Pb含量的增加,样品的结构有由立方相变为四方相的趋势。(2)对样品的介电性能进行了研究,从介频特性发现介电常数随频率的变化很小,说明PST陶瓷具有相对稳定的频率特性。从介温图谱知道PST陶瓷材料的相变是非弛豫相变,在居里温度以上完全符合居里—外斯定律,并得到PST陶瓷材料的居里温度与Pb/Sr比之间成线性关系,材料的性能和实际应用都与居里温度有关,这样可以通过设计调节Pb/Sr比来满足实际应用的要求。同时发现极化对PST50/50样品的介温特性没有太大的影响。(3)在室温下对样品的铁电性能进行了测试,发现随着铅含量的增加,样品的铁电性能越明显。对PST50/50样品进行了不同温度下的铁电性能测试,随着测试温度的升高,样品的铁电性能逐渐减弱,通过线性关系外延,得到剩余极化为零时的温度(即相变温度)为162℃,与介电温谱特性得到的结果是基本相符的。但实验结果显示当测试温度高于相变温度时,剩余极化并不为0,说明在相变温度以上,极化微区电畴仍然存在。(4)用动态法测试了样品在不同温度下的热释电性能,发现热释电性能与Pb/Sr比相关,温度变化时热释电系数变化不太,样品具有较好的热稳定性。当Pb/Sr比为35/65时,由于所测试的温度在其居里温度附近,其热释电系数最高达到432μC/m2K,衡量热释电材料的探测因子值也高达21.82×10-6pa-0.5。这些高的热释电系数和探测优值因子表明PST材料有望在热释电探测器、热外探测器等领域得到应用,是一种有潜力的热释电材料。(5)用C-V特性曲线的测试研究了样品的调谐性能,发现铅含量较多时,样品的C-V曲线是一些蝴蝶曲线,说明了铁电性的存在,与铁电性能的测试结果是一致的。在铅含量为0.3和0.35时,具有较大的调谐性能(51%和49%)以及较高的优值因子FOM值(356和342)。由于PST铁电陶瓷材料具有大的介电常数、调谐率和FOM值以及小的介电损耗,因此PST材料是一种很有应用前景的调谐元器件材料。2、用溶胶-凝胶法在不同衬底上制备了PST50/50薄膜,得到的成果有：(1)研究了不同的退火温度(650℃和700℃)对微观结构和电性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒尺寸增大,薄膜结晶越好,薄膜的介电性能和铁电性能得到改善和提高。经650℃退火和700℃退火的样品在100kHz时的介电常数和损耗分别为202、0.018和455、0.025,剩余极化和矫顽场分别为2μC/cm2、45kV/cm和3μC/cm2、65kV/cm。(2)用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3(LNO)缓冲层和PST50/50薄膜,发现LNO缓冲层的引入,薄膜的介电性能和铁电性能得到很大改善和提高。Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上PST50/50的介电常数和介电损耗在100kHz时分别为460、0.023和1088、0.005。这主要与PST薄膜的择优取向、晶粒大小有关以及薄膜中的缺陷浓度有关。(3)比较成功的用溶胶-凝胶法在不同的单晶衬底上制备了高度取向的PST50/50薄膜,通过X-射线φ扫描和ω摇摆曲线的测试发现薄膜的择优取向质量与别人报道的PLD法制备的方法相比拟。这为外延薄膜的制备提供了一种手段和一定的指导。3、用AAO模板法和静电纺丝法制备了PST一维纳米结构：(1)用AAO模板结合溶胶-凝胶法成功制备了中空的PST纳米管结构,研究结果表明,用AAO模板制备的PST一维纳米结构是一些纳米管,其直径的大小与AAO模板的孔径大小一致。我们对样品进行了铁电性能的测试发现嵌在AAO模板里面的PST50/50和PST60/40纳米管阵列具有铁电性能。当用激发波长为300nm的光激发样品时,发现PST40纳米管在356和400nm附近有2个发射峰,而PST50/50、PST60/40纳米管的3个发射峰分别位于412,432,449nm和413,433,451nm。这可能是有样品中大量的氧空位、缺陷以及不同Pb/Sr比导致不同的晶体结构而引起。(2)用静电纺丝法成功制备了PST50/50纳米纤维,并利用XRD、SEM、FTIR、 Raman、PFM等方法对纳米纤维的微结构和电性能进行了分析。PFM结果表明,单根的PST50/50纳米纤维具有铁电性能。(本文来源于《湘潭大学》期刊2012-05-20）
贾继扩,罗莉,吴浩怡[8]（2010）在《Sr/Pb的比例对钛酸锶铅结构的影响》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法制备了具有不同锶铅配比的钛酸锶铅粉末(PbxSr1-xTiO3,x=0.4,0.5,0.6).样品在900℃的温度下进行了退火.用X射线衍射(XRD)研究了样品的晶体结构.结果发现随着铅含量比例的增大,衍射峰逐渐分裂为两个峰,且分裂峰之间的间隔越来越大.对样品的(001/100)峰进行了双峰拟合,由拟合结果得到了样品的晶格常数,结果表明样品中晶格常数c和a之比也随铅掺杂比例的增大而增大,晶胞体积变大.表明随铅含量的增加材料从立方结构逐渐向四方结构转变.(本文来源于《广东工业大学学报》期刊2010年01期）
吴文彪,周栋义,金灯仁,孟中岩[9]（2008）在《多层结构钛酸锶铅薄膜及介电调谐与温度稳定性》一文中研究指出在研究组分、溶胶浓度对钛酸锶铅(PST)薄膜结构、介电、调谐性能等影响的基础上,设计一种以低损耗—高调谐—低损耗组分交替沉积的方法,研制了叁明治多层结构的PST薄膜(PST20-40-20).研究结果表明,这种叁明治多层结构的薄膜表面致密,晶粒均匀,同时具有调谐率高、损耗低等特点,综合性能比单组分要好,其调谐率、优值分别为52和45.在20~100℃范围内调谐率变化幅度小于8%,提高了温度稳定性.(本文来源于《上海大学学报(自然科学版)》期刊2008年05期）
何崇斌,施云斌,赵丽丽,张志勇[10]（2008）在《锶铅比对钛酸锶铅材料性能的影响》一文中研究指出目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节(Sr,Pb)TiO3的居里温度TC,这对扩大(Sr,Pb)TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。(本文来源于《西北大学学报(自然科学版)》期刊2008年04期）
钛酸锶铅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
陶瓷储能介质材料以较高的放电功率密度和较好的工作稳定性等优点非常适合作为脉冲功率设备的储能器件。(Sr,Pb,Bi)TiO_3(SPBT)介质陶瓷具有较高的放电功率密度、高放电效率、较高的介电常数以及低介电损耗。本文在SPBT介质陶瓷的研究基础上,通过改变改性剂,制备了不同晶界结构的SPBT基介质陶瓷,绕着晶界结构这个核心问题,对材料的介电性能展开了系统性的研究。改性剂对SPBT基介质陶瓷晶界结构的影响。通过低温烧结与Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)改性制备了SPBT相与Pb_3Bi_4Ti_6O_(21)(PBT)相共存的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-xBi_4Ti_3O_(12)((1-x)SPBT-xBIT)复相陶瓷,PBT相比SPBT具有完全不同的结构性质,它的出现降低了材料的晶界密度,增加了材料中的铁电宏畴密度。通过高温烧结与Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)改性制备了单相的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-x Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3((1-x)SPBT-xBNT)介质陶瓷,BNT的掺入改变了晶粒的元素成分,增强了晶界的绝缘性。同时由于元素成分的变化,晶界结构随之改变,微畴消失,导致了电畴结构的变化。晶界结构对材料耐压场强的影响。降低材料晶粒尺寸有利于提高其晶界密度,但研究发现这也会导致明显的界面极化效应,使材料的耐压场强降低。通过BIT掺入可降低晶界密度及空间电荷浓度,可有效降低界面极化效应的影响。研究发现BNT掺入使SPBT晶界的绝缘性增强,可有效提高材料的耐压场强。但BNT掺入会导致铅铋化合物的析出,对材料的介电性能造成了不利影响。晶界结构对材料介电温度特性的影响。BIT与BNT都具有较高的居里温度,研究发现BIT或BNT掺杂可使材料的居里峰移动、展宽,达到降低-电容温度变化率的效果。通过对比高低温烧结的SPBT陶瓷可发现,降低材料的晶粒尺寸可有效增加晶界间的内应力,降低材料的电容-温度变化率。晶界结构对材料储能特性的影响。BIT掺入导致了(1-x)SPBT-xBIT陶瓷中宏畴的密度增加,材料的铁电性增强。在(1-x)SPBT-xBNT陶瓷中,BNT掺入改变了材料的晶界结构,微畴消失,材料的宏畴密度增加,材料的反铁电性增强。由于铁电宏畴密度增加,畴壁重新取向将消耗更多的能量,导致材料的介质损耗增大,放电效率降低。同时,BNT掺入还可有效增加材料的储能密度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸锶铅论文参考文献
[1].李延青,吴曼,杨静.锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[2].王德彬.钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究[D].西南科技大学.2019
[3].胡涛.溶胶凝胶法制备镁掺杂钛酸锶铅和银掺杂锆钛酸铅薄膜及其介电性能研究[D].浙江大学.2016
[4].刘流.钛酸锶铅铁电薄膜的制备及其介电性能研究[D].湘潭大学.2014
[5].吕海燕.钛酸锶铅陶瓷粉体水热合成法的研究[D].河北科技大学.2012
[6].杨英,孙小华,李修能,侯爽.镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究[J].叁峡大学学报(自然科学版).2012
[7].蒋艳平.低维钛酸锶铅铁电材料的制备及电学与光学性能研究[D].湘潭大学.2012
[8].贾继扩,罗莉,吴浩怡.Sr/Pb的比例对钛酸锶铅结构的影响[J].广东工业大学学报.2010
[9].吴文彪,周栋义,金灯仁,孟中岩.多层结构钛酸锶铅薄膜及介电调谐与温度稳定性[J].上海大学学报(自然科学版).2008
[10].何崇斌,施云斌,赵丽丽,张志勇.锶铅比对钛酸锶铅材料性能的影响[J].西北大学学报(自然科学版).2008
论文知识图
