论文摘要
量子点电致发光器件（QLED）中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩（C8-BTBT）作为发光层主体材料,与量子点构成的主客体复合薄膜,被证明是一种有效的解决方法,而研究和调控载流子向这类有机主体材料的注入特性是提高这类QLED器件性能的关键。采用场效应薄膜晶体管和单载流子叠层器件结构表征了ZnO/C8-BTBT异质结的载流子传输特性。实验发现通过引入ZnO/C8-BTBT异质结,一方面可提高器件的空穴注入效率,另一方面有利于实现更平衡的载流子注入特性。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王向华,李博,胡鹏,黄玲玲,陈幸福
关键词: 氧化锌,二辛基苯并噻吩并,苯并噻吩,异质结,有机薄膜晶体管
来源: 固体电子学研究与进展 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 合肥工业大学光电技术学院特种显示技术国家工程实验室省部共建现代显示技术国家重点实验室(培育基地)
基金: 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JZ2018YYPY0300),高等学校学科创新引智计划项目(B12019)
分类号: O413;TN383.1
DOI: 10.19623/j.cnki.rpsse.2019.06.002
页码: 400-405
总页数: 6
文件大小: 4488K
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标签：氧化锌论文; 二辛基苯并噻吩并论文; 苯并噻吩论文; 异质结论文; 有机薄膜晶体管论文;