论文摘要
利用TCAD半导体器件仿真软件对背表面沟槽型高效插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池的输出特性和沟槽结构参数进行了优化研究.全面系统地分析了在衬底少子寿命较低的情况下,沟槽深度和沟槽数量对沟槽型IBC太阳电池光电流分布、外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响.仿真结果表明:背表面沟槽结构对低衬底少子寿命的产业化IBC太阳电池的电学性能具有显著的改善作用.采用沟槽结构有利于产业化IBC太阳电池外量子效率的提升,对于短波段外量子效率的改善效果尤为显著.采用沟槽结构有利于增大发射结面积、缩短光生载流子输运路径、降低光生载流子输运过程中的复合损耗,对产业化IBC太阳电池短路电流密度有明显提高.采用沟槽结构可显著提高产业化IBC太阳电池的转换效率.对于衬底少子寿命为50μs的产业化IBC太阳电池,其转换效率为18. 56%.当沟槽数量为6且沟槽深度为100μm时,沟槽型单元IBC太阳电池的转换效率达到21. 87%,与衬底少子寿命为300μs情况下的产业化IBC太阳电池的转换效率相当.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周涛,李媛,陆晓东,吴元庆
关键词: 太阳电池,沟槽结构,少子寿命,转换效率,量子效率
来源: 渤海大学学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 渤海大学新能源学院
基金: 国家自然科学基金项目(No:11747055)
分类号: TM914.4
DOI: 10.13831/j.cnki.issn.1673-0569.2019.04.012
页码: 371-377+384
总页数: 8
文件大小: 1950K
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